Penelitian tentang karaterisasi GaAs dengan photoluminescence Laser Argon ini bertujuan untuk mengetahui: (1) Besarnya panjang gelombang cahaya photoluminescence yang dihasilkan oleh GaAs yang disinari dengan Laser Argon. (2) Besarnya energi gap bahan GaAs pada suhu kamar. Penelitian ini dilakukan dengan metode eksperimen, sebagai sampel penelitian adalah bahan semikonduktor GaAs; sedangkan analisis data dengan metode grafik dan persamaan differensial parsial. Berdasarkan analisis data dan pembahasan diperoleh kesimpulan bahwa: (1) Besarnya panjang gelombang cahaya photoluminescence yang dihasilkan oleh GaAs yang disinari dengan Laser Argon adalah 873,211 nm dan 874,601 nm. (2) Besarnya energi gap bahan GaAs pada suhu kamar adalah Eg = 1,42 eV.